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8英寸硅外延炉和6英寸碳化硅外延炉通过客户验收
发布时间:2020-08-27 信息来源: 浏览次数:3212

 


 

       最新披露,晶盛机电外延设备研究所自主研发的8英寸单片式硅外延炉和6英寸碳化硅外延炉(4英寸工艺)通过客户验收。

 

       外延设备研究所成立于2017年底,沈文杰所长带领团队从外延工艺到调研、开发和安装调试,不到2年就实现设备交付,自主开发的分区域温度PID控制技术,硅片表面温度均匀性达到0.73%,温度偏差控制在10℃以内;自主研发的反应腔通过气流仿真和结构优化,硅片上表面气体流速控制在0.02±0.005m/s范围内。此外,研发团队通过更换传片机械手及自制机械臂解决了进口设备机械臂下垂及Particle问题。

 

       硅外延炉是用于在硅片上生长外延层的专用设备,此次研发的设备兼容6-8英寸外延生长,具有外延层厚度均匀性和电阻率均匀性高的特点。8英寸单片式硅外延炉首台样机于2019年8月进入客户现场,稳定生产了9个月,累计生产超过4万片外延片,经专业检测,设备各项性能指标均达到进口设备同等水平。

 

       与此同时,晶盛自主研发的6英寸碳化硅外延炉4英寸工艺也获得客户验收,现进行6英寸工艺调试,目前工艺验证顺利进行。该设备为单片式设备,沉积速率大于50um/min,厚度均匀性<1%,浓度均匀性<1.5%。碳化硅外延炉生产的碳化硅外延片广泛应用于新能源汽车、电力电子、微波射频等领域。 


         晶盛成功开发出硅外延设备和碳化硅外延设备,有助于拓展公司在硅半导体和第三代半导体设备领域的市场布局,通过实现设备国产化,极大降低硅和碳化硅材料应用成本,推动产业发展。 


         “先进材料,先进装备”,晶盛不断加大在半导体材料装备领域的研发投入,秉持技术创新、产品领先的研发理念,在半导体材料装备产业链日臻完整,形成了覆盖半导体单晶生长、切片、抛光、外延四大核心装备为主的产品体系。

 

       科技之晶,盛誉天下! 

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